内存时序设置详解

通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。

tRRD:RowtoRowDelay(RAStoRASdelay)

可选的设置：Auto，0-7，每级以1的步幅递增。

RowtoRowDelay，也被称为RAStoRASdelay(tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。

延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。

tWR:WriteRecoveryTime

可选的设置：Auto，2，3。

WriteRecoveryTime(tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。

如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2;如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。

tWTR:WritetoReadDelay

可选的设置：Auto，1，2。

WritetoReadDelay(tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR(lastdataintoreadcommand)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。

tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1;如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。

tREF:RefreshPeriod

可选的设置：Auto，0032-4708，其步进值非固定。

RefreshPeriod(tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。

先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。

1552=100mhz(?.??s)

2064=133mhz(?.??s)

2592=166mhz(?.??s)

3120=200mhz(?.??s)

---------------------

3632=100mhz(?.??s)

4128=133mhz(?.??s)

4672=166mhz(?.??s)

0064=200mhz(?.??s)

---------------------

0776=100mhz(?.??s)

1032=133mhz(?.??s)

1296=166mhz(?.??s)

1560=200mhz(?.??s)

---------------------

1816=100mhz(?.??s)

2064=133mhz(?.??s)

2336=166mhz(?.??s)

0032=200mhz(?.??s)

---------------------

0388=100mhz(15.6us)

0516=133mhz(15.6us)

0648=166mhz(15.6us)

0780=200mhz(15.6us)

---------------------

0908=100mhz(7.8us)

1032=133mhz(7.8us)

1168=166mhz(7.8us)

0016=200mhz(7.8us)

---------------------

1536=100mhz(3.9us)

2048=133mhz(3.9us)

2560=166mhz(3.9us)

3072=200mhz(3.9us)

---------------------

3684=100mhz(1.95us)

4196=133mhz(1.95us)

4708=166mhz(1.95us)

0128=200mhz(1.95us)

如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(SerialPresenceDetect)的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存(即单颗容量为16MB的内存)，而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存(即单颗容量为32MB的内存)。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。

另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法(行刷新)，每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?sx2048行=32ms。

tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为3120=200mhz(?.??s)时，会得到最佳的性能/稳定性比。

在这里小编要向大家道歉，由于字数的限制没有办法向大家展示完整的内存时序设置，对这个感兴趣的发烧友们可以去网上搜一下。如果是普通用户不就不需要太过于探究了，毕竟这属于对专业知识要求较高的，像普通用户只要知道如何去查看内存时序就好了，现如今的电脑内存一般不会限制电脑的速度，最后小编再跟大家说一声对不起。

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